GaN Semiconductors

Ang mga semiconductors ng EPC ay ang pangunahing bahagi ng wireless power area na ibabaw

EPC's GaN Semiconductors Ang EPC & rsquo; s 100 V EPC2107 at 60 V EPC2108 eGaN half-bridge power integrated circuits na may pinagsamang bootstrap FET pawiin ang driver ng gate sapilitan reverse recovery loses pati na rin ang pangangailangan para sa isang mataas na clamp side. Ang partikular na idinisenyo para sa malagkit na mga application ng wireless power transfer, ang mga produktong ito ay nagbibigay-daan sa mabilis na disenyo ng mataas na mahusay na sistema ng paggamit ng pagtatapos, na nagtatakda ng yugto para sa malawakang pag-aampon ng mga wireless power circuits.

Mga Tampok

Mas mataas na dalas ng paglipat
- Mas mababang mga pagkalugi, mas mababa parasitiko inductance, at mas mababa drive kapangyarihan
Integrated na disenyo
- Ang mas mataas na kahusayan, nadagdagan ang densidad ng kapangyarihan, nabawasan ang mga gastos sa pagpupulong
Maliit na bakas ng paa
- Mababang inductance, napakaliit, 1.35 mm x 1.35 mm BGA ibabaw-bundok passivated mamatay

Mga Application

Wireless power para sa 5G
Mga aparatong mobile
Robots
Industrial automation
Mga kagamitan sa medikal at automotive